RAMSEY 1SS99 Diodo Schottky UHF / 1 GHz / 0.5 pF / 10 mA / DO-35 / -55°C a +150°C

Diodo Schottky UHF diseado para aplicaciones de mezcladores y detectores RF en el rango de frecuencias ultra altas. Su construccin en semiconductor de silicio ofrece baja capacitancia de juntura y reducida cada de tensin directa permitiendo operacin eficiente hasta 1 GHz. La alta linealidad y bajo nivel de ruido lo hacen ideal para receptores de comunicacin equipos de medicin RF y circuitos de conversin de frecuencia. El encapsulado DO-35 facilita su integracin en diseos de montaje convencional con conexiones polarizadas por cable.

Caractersticas principales

• Baja cada de tensin directa para mxima eficiencia en conmutacin
• Capacitancia de 0.5 pF que minimiza distorsin en seales UHF
• Alta linealidad en aplicaciones de mezclado y deteccin RF
• Operacin confiable en receptores UHF y sistemas de comunicacin
• Resistencia serie de 25 para respuesta de conmutacin rpida
• Rango trmico extendido de -55C a 150C

Especificaciones tcnicas

Aplicaciones tpicas

• Receptores de UHF y sistemas de comunicacin
• Equipos de medicin RF y analizadores de espectro
• Circuitos de conversin de frecuencia y mezcladores
• Detectores de envolvente y demoduladores