RF PARTS 2N5885 Transistor de Silicio NPN 60 Vce 25 Amp. 200 Watt Montaje TO-3

Código producto - SKU 2N5885
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Descripción

2N5885 RF PARTS Transistor de Silicio NPN 60 Vce 25 Amp. 200 Watt Montaje TO-3

<-- Seccin de caractersticas principales -->

Caractersticas Principales

  • Transistor de Silicio NPN
  • Voltaje Colector-Emisor: 60 Vdc
  • Corriente Colector: 25 Adc (mximo)
  • Disipacin de Potencia: 200 Watts
  • Paquete: TO-3 (Montaje TO-204AA)
  • Diseado para aplicaciones de amplificacin de potencia y conmutacin
  • Bajo voltaje de saturacin Colector-Emisor
  • Baja corriente de fuga
  • Excelente ganancia de corriente DC
  • Alto ancho de banda de ganancia de corriente

Especificaciones Principales

  • VCE(sat): 1.0 Vdc (mximo) a IC = 15 Adc
  • ICEX: 1.0 mAdc (mximo) a voltaje nominal
  • hFE: 20 (mnimo) a IC = 10 Adc
  • ft: 4.0 MHz (mnimo) a IC = 1.0 Adc
  • VCEO: 60 Vdc
  • IC: 25 Adc (continua) 50 Adc (pico)
  • PD: 200 Watts TC = 25C
  • Derating: 1.15 W/C sobre 25C
  • TJ Tstg: Rango de temperatura -65 a 200C
<-- Seccin de especificaciones detalladas -->

Especificaciones Elctricas

Caractersticas ON

  • VCE(sat): 1.0 Vdc (mx) a IC = 15 Adc IB = 1.5 Adc
  • VCE(sat): 4.0 Vdc (mx) a IC = 25 Adc IB = 6.25 Adc
  • VBE(sat): 2.5 Vdc (mx) a IC = 25 Adc IB = 6.25 Adc
  • VBE(on): 1.5 Vdc (mx) a IC = 10 Adc VCE = 4.0 Vdc

Caractersticas OFF

  • ICEO: 2.0 mAdc (mx) a VCE = 30 Vdc IB = 0
  • ICEX: 1.0 mAdc (mx) a VCE = 60 Vdc VBE(off) = 1.5 Vdc
  • ICEX: 10 mAdc (mx) a VCE = 60 Vdc VBE(off) = 1.5 Vdc TC = 150C
  • ICBO: 1.0 mAdc (mx) a VCB = 60 Vdc IE = 0
  • IEBO: 1.0 mAdc (mx) a VEB = 5.0 Vdc IC = 0

Caractersticas Dinmicas y de Conmutacin

Caractersticas Dinmicas

  • fT: 4.0 MHz (mn) a IC = 1.0 Adc
  • Cob: 500 pF (mx) a VCB = 10 Vdc
  • hfe: 20 (mn) a IC = 3.0 Adc

Caractersticas de Conmutacin

  • tr: 0.7 ms (mx) a VCC = 30 Vdc
  • ts: 1.0 ms (mx) a VCC = 30 Vdc
  • tf: 0.8 ms (mx) a VCC = 30 Vdc
<-- Seccin de caractersticas trmicas -->

Caractersticas Trmicas

  • qJC: 0.875C/W (mx) Resistencia trmica unin a carcasa
  • Derating: 1.15 W/C sobre 25C
  • TJ(pk)-TC: P(pk) qJC(t) para tren de pulsos
  • Regin segura de operacin: Limitada por disipacin trmica segundo breakdown y lmites de alambrado

Condiciones de Prueba

  • Prueba de pulso: Ancho de pulso 300 s ciclo de trabajo 2.0%
  • fT = hfe ftest
  • Para curvas de conmutacin: RB y RL variables
  • Niveles de entrada aproximados como se muestra
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<-- Seccin de aplicaciones -->

Aplicaciones Tpicas

  • Amplificadores de potencia
  • Circuitos de conmutacin
  • Fuentes de alimentacin
  • Controles industriales
  • Circuitos de potencia general
<-- Seccin de informacin de empaque -->

Informacin de Empaque

El transistor 2N5885 est disponible en empaque TO-3 (Caso 1-07 TO-204AA) para montaje en disipadores de calor. El diseo de montaje permite una disipacin trmica eficiente y una fcil instalacin en circuitos de potencia.

20-06-2026 03:43:11 SSN10 U-20-Gn 222196

Detalles

SKU
2N5885
Categorías
kenwood / icom / txpro
Peso
0.01 kg
Fabricante
RF PARTS
Etiquetas
2N5885

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