Syscom 08WX7167 Diodo Schottky de Potencia SD-51 Rectificador de Silicio VRRM-45V IF-60A Catodo en Base del DO-5.
Descripción
08WX7167 Syscom Diodo Schottky de Potencia SD-51 Rectificador de Silicio VRRM-45V IF-60A Catodo en Base del DO-5.
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Caractersticas Principales
- Diodo Tipo: Schottky SD-51
- Material: Rectificador de Silicio
- Alta capacidad de Potencia
- Voltaje Repetitivo de Pico inverso: 45 Volt
- Corriente Directa Continua: 60 Amp
- Polaridad Estndar: Ctodo en la Base
- Temperatura de Operacin: -55 a 150 C
- No es sensible a Descargas Electrostticas (ESD)
- Tipo de Empaque: DO-5 (DO-203AB)
Especificaciones Elctricas
- Voltaje Repetitivo Inverso (VRRM): 45 V
- Voltaje RMS Inverso: 32 V
- Voltaje de Bloqueo DC: 45 V
- Corriente Directa Continua (IF): 60 A (Tc 100 C)
- Corriente de Pico No Repetitivo (IFSM): 800 A (t = 8.3 ms Tc = 25 C)
Caractersticas Trmicas
- Resistencia Trmica (RthJC): 1.0 C/W
- Temperatura de Almacenamiento: -55 a 150 C
Caractersticas Elctricas Detalladas
- Voltaje Directo (VF): 0.66 V (IF = 60 A Tj = 25 C)
- Corriente Inversa (IR): 5 mA (VR = 45 V Tj = 25 C)
- Corriente Inversa Mxima: 200 mA (VR = 45 V Tj = 125 C)
Caractersticas Mecnicas
- Tipo de Empaque: DO-5 (DO-203AB)
- Marcaje: El producto est marcado con el nmero de parte y configuracin de terminales
Notas Importantes
- Polaridad estndar: El ctodo est en la base
- Polaridad inversa (R): El nodo est en la base
- La base es el terminal de montaje
- Todas las especificaciones son a Tj = 25 C a menos que se especifique lo contrario
Dimensiones del Paquete
Dimensiones en pulgadas y milmetros:
- A: 1/4 -28 UNF
- B: 0.669-0.687 (17.19-17.44 mm)
- C: Hasta 0.794 (20.16 mm)
- D: Hasta 1.020 (25.91 mm)
- E: 0.422-0.453 (10.72-11.50 mm)
- F: 0.115-0.200 (2.93-5.08 mm)
- G: Hasta 0.460 (11.68 mm)
- J: Hasta 0.280 (7.00 mm)
- K: 0.236 (6.00 mm) mnimo
- M: Hasta 0.589 (14.96 mm)
- N: Hasta 0.063 (1.60 mm)
- P: 0.140-0.175 (3.56-4.45 mm)
20-06-2026 03:40:07 SSN1 U-20-Gn 200603
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