Syscom 1N1184A Diodo de Silicio de Recuperacion Estandar / VRMS 70V / IF 35A / VF 1.2V / DO-5 / -55 a +150°C
Descripción
1N1184A Syscom Diodo de Silicio de Recuperación Estándar / VRMS 70V / IF 35A / VF 1.2V / DO-5 / -55 a +150°C
Diodo de silicio de recuperacin estndar diseado para aplicaciones de potencia en fuentes de alimentacin y sistemas de energa. Ofrece una corriente directa continua de 35 A con un voltaje directo de 1.2 V optimizando la eficiencia en conversin de potencia. Su encapsulado DO-5 con ctodo en la base facilita la identificacin y montaje correcto en circuitos de alta corriente. Opera en un rango trmico extendido de -55C a 150C garantizando confiabilidad en condiciones ambientales exigentes.
Caractersticas Principales
- Alta capacidad de sobrecarga de 595 A (t = 8.3 ms media onda sinusoidal)
- No sensitivo a descargas electrostticas (ESD)
- Resistencia trmica de 0.25C/W (junto a carcaza)
- Voltaje repetitivo de pico inverso de 100 V
- Corriente inversa de 10 A (VR = 50 V TJ = 25C)
- Encapsulado DO-5 (DO-203AB) con ctodo en base
Especificaciones Tcnicas
Elctricas
Voltaje repetitivo de pico inverso: 100 V
Voltaje inverso RMS: 70 V
Voltaje de bloqueo DC: 100 V
Corriente directa continua: 35 A
Corriente de sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms media onda sinusoidal)
Voltaje directo: 1.2 V (IF = 35 A TJ = 25C)
Corriente inversa: 10 A (VR = 50 V TJ = 25C)
Trmicas y Mecnicas
Resistencia trmica (junto a carcaza): 0.25C/W
Temperatura de operacin: -55C a 150C
Temperatura de almacenamiento: -55C a 150C
Encapsulado: DO-5 (DO-203AB)
Polaridad: Ctodo en base
Aplicaciones
Fuentes de alimentacin sistemas de energa rectificacin de potencia proteccin de circuitos y equipos industriales que requieren alta capacidad de sobrecarga y operacin confiable en amplios rangos trmicos.
16-07-2026 11:40:04 SSN1 U-28-Gn 200279