Syscom 2N5883 Transistor de Silicio PNP 60 V 25 A. 200 Watt TO-3.
Descripción
2N5883 Syscom Transistor de Silicio PNP 60 V 25 A. 200 Watt TO-3.
Caractersticas Generales
- Transistor NPN de uso general
- Encapsulado TO-92
- Corriente mxima de colector: 150 mA
- Tensin colector-emisor mxima: 30 V
- Ganancia de corriente (hFE): 110 a 800
- Frecuencia de transicin: 100 MHz
Especificaciones Elctricas
- Configuracin: NPN
- Encapsulado: TO-92
- Corriente mxima de colector (Ic): 150 mA
- Tensin colector-emisor (Vceo): 30 V
- Ganancia de corriente (hFE): 110-800
- Frecuencia de transicin (fT): 100 MHz
- Disipacin de potencia: 300 mW
Aplicaciones Tpicas
- Amplificadores de audio
- Interruptores de potencia
- Circuitos de temporizacin
- Control de rels
Informacin Adicional
- Temperatura de operacin: -55C a 150C
- Almacenamiento: -55C a 150C
- Humedad relativa: 50% a 80% sin condensacin
20-06-2026 13:40:13 SSN1 U-20-Gn 201577
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