Syscom 2N5883 Transistor de Silicio PNP 60 V 25 A. 200 Watt TO-3.
Descripción
Características Generales
- Transistor NPN de uso general
- Encapsulado TO-92
- Corriente máxima de colector: 150 mA
- Tensión colector-emisor máxima: 30 V
- Ganancia de corriente (hFE): 110 a 800
- Frecuencia de transición: 100 MHz
Información Adicional
- Temperatura de operación: -55°C a +150°C
- Almacenamiento: -55°C a +150°C
- Humedad relativa: 50% a 80% sin condensación
Detalles
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