Syscom 2SC1971 Transistor RF de Potencia / 120 MHz / 150 W / Bipolar de Silicio

Este transistor RF de alta potencia est diseado para aplicaciones de transmisin en el rango de frecuencias de radio. Opera hasta 120 MHz con una potencia de salida de 150 W lo que lo hace ideal para equipos de comunicacin transmisores y amplificadores de RF en entornos profesionales. Su tecnologa bipolar de silicio garantiza un rendimiento predecible y documentado. El encapsulado robusto permite su instalacin en condiciones industriales exigentes donde la confiabilidad trmica y elctrica son crticas.

Caractersticas principales

• Transistor RF de alta potencia para aplicaciones de transmisin
• Frecuencia mxima de operacin: 120 MHz
• Potencia de salida: 150 W
• Tecnologa bipolar de silicio
• Diseo robusto para ambientes exigentes
• Compatibilidad con estndares industriales

Especificaciones tcnicas