Syscom 2SC2097 Transistor NPN Epitaxial / 30 MHz / 13.5 Vcc / 70 W / Encapsulado T-40E

Transistor NPN Epitaxial de Silicio para RF de Potencia

Este transistor NPN epitaxial de silicio est diseado para aplicaciones de amplificacin de radiofrecuencia de potencia con alta eficiencia energtica. Opera a una frecuencia mxima de 30 MHz con estabilidad trmica y elctrica garantizada por su estructura epitaxial de silicio. La tensin de colector de 13.5 Vcc permite integrarlo en etapas de salida de transmisores y amplificadores de RF que requieren manejo de seales de alta potencia. Su encapsulado T-40E proporciona disipacin trmica eficiente para operacin continua en entornos industriales exigentes.

Caractersticas Principales

• Transistor NPN epitaxial de silicio para baja distorsin armnica
• Frecuencia mxima de operacin: 30 MHz
• Tensin de colector: 13.5 Vcc
• Potencia mxima de salida: 70 W
• Encapsulado formato T-40E para montaje industrial
• Optimizado para amplificacin RF de potencia

Especificaciones Tcnicas