Syscom IRF-Z24N-ND Transistor MOSFET / Canal N / 55V / 17A / 0.044? / TO-220AB / 55 pies (16.8 m)

Este transistor MOSFET de canal N est diseado para aplicaciones de conmutacin de potencia que demandan alta eficiencia y respuesta rpida. Opera con una tensin de drenaje de 55V y soporta corrientes continuas de hasta 17A a 25C lo que lo hace ideal para fuentes de alimentacin analizadores de circuitos y equipos de prueba electrnica. Su resistencia de conduccin de tan solo 0.044 ohmios minimiza las prdidas por disipacin trmica mientras que su arquitectura de conmutacin rpida reduce los tiempos de transicin entre estados. El encapsulado TO-220AB de tres terminales facilita su montaje en disipadores estndar y garantiza una extraccin de calor eficiente en condiciones de carga elevada.

Caractersticas principales

• MOSFET de canal N para conmutacin de potencia
• Voltaje de drenaje-surtidor (V_DSS): 55V
• Corriente continua de drenaje (I_D): 17A a 25C
• Resistencia de conduccin R_DS(on): 0.044
• Velocidad de conmutacin rpida para alta eficiencia
• Encapsulado TO-220AB de 3 terminales

Especificaciones tcnicas