Syscom IRF9Z30 Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 ? / 74 W / TO-220AB
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Descripción
IRF9Z30 Syscom Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 ? / 74 W / TO-220AB
Transistor de potencia MOSFET de canal P diseado para aplicaciones de conmutacin y control en equipos de anlisis electrnico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 que minimiza las prdidas por conduccin permitiendo operacin eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integracin en diseos de PCB through-hole con disipacin trmica directa resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.
Caractersticas principales
- MOSFET canal P con tecnologa de xido metlico
- Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 50 V
- Corriente continua de drenaje: 18 A 25C
- Resistencia RDS(on) mxima: 140 m 9.3 A 10 V
- Disipacin de potencia mxima: 74 W
- Capacitancia de entrada (Ciss): 900 pF 25 V
- Carga de compuerta (Qg): 39 nC 10 V
- Voltaje umbral VGS(th): 4 V mx. 250 A
- Voltaje compuerta-fuente mximo: 20 V
- Rango de temperatura de unin: -55C 150C
- Montaje: Through hole encapsulado TO-220AB
Especificaciones tcnicas
Tipo de FET
P-Channel MOSFET
VDSS
50 V
ID 25C
18 A (TC)
RDS(on) mx.
140 m 9.3 A 10 V
Voltaje de drive
10 V (mx. RDS on mn. RDS on)
VGS(th) mx.
4 V 250 A
Qg mx. VGS
39 nC 10 V
VGS mx.
20 V
Ciss mx. VDS
900 pF 25 V
Disipacin mx.
74 W (TC)
Temperatura operacin
-55C 150C (TJ)
Encapsulado
TO-220AB Through hole
15-07-2026 18:43:57 SSN12 U-28-Gn 233499
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