Syscom MA4X86200LCT-ND Dos Diodos de Switcheo de Silicio Electricamente Independientes de 35 Volt 100 mA SMD TO-253-4
Descripción
MA4X86200LCT-ND Syscom Dos Diodos de Switcheo de Silicio Eléctricamente Independientes de 35 Volt 100 mA SMD TO-253-4
Caractersticas Principales
- Dos elementos elctricamente independientes incorporados
- Capacitancia pequea en diodos
- Baja resistencia dinmica hacia adelante
- ptimos para un cambio de banda del sintonizador
Especificaciones Elctricas
- Voltaje inverso: 35 V
- Corriente directa: 100 mA (individual) 75 mA (doble)
- Temperatura operacin: -25 a 85 C
- Temperatura almacenamiento: -55 a 100 C
Especificaciones Elctricas Detalladas
- Voltaje directo: 1.0 V (a 100 mA)
- Corriente inversa: 100 nA (a 33 V)
- Capacitancia diodo: 1.2 pF (a 6 V 1 MHz)
- Resistencia dinmica directa: 0.65 (a 2 mA 100 MHz)
- Resistencia dinmica directa: 0.98 (a 2 mA medicin alternativa)
Caractersticas Fsicas
- Paquete: Mini4-G1 (TO-253-4)
- Marca: SYSCOM
- Modelo: MA4X86200LCTND
- Conformidad: RoHS Directive (EU 2002/95/EC)
- Sintonizadores de banda
- Circuitos de conmutacin de RF
- Equipos de comunicacin
- Instrumentos de medicin
- Temperatura ambiente: -25 a 85 C
- Temperatura almacenamiento: -55 a 100 C
- Voltaje de operacin: Hasta 35 V
- Corriente de operacin: Hasta 100 mA
- Cumplir con las normas de seguridad elctrica
- Evitar sobrepasar los lmites mximos de voltaje y corriente
- Considerar diseo redundante en aplicaciones crticas
- Proteger contra descargas electrostticas (ESD)
Descripcin Tcnica
Diodos de conmutacin de silicio epitxico planar tipo MA4X862 (MA862) diseados especficamente para aplicaciones de cambio de banda en sintonizadores. El paquete Mini4-G1 (TO-253-4) contiene dos elementos elctricamente independientes permitiendo configuraciones duales en un solo componente. Con una capacitancia diodo de 1.2 pF a 6V y baja resistencia dinmica hacia adelante (0.65 a 2 mA 100 MHz) estos diodos ofrecen un rendimiento estable en aplicaciones de RF.
La construccin de silicio epitxico planar proporciona una alta confiabilidad y estabilidad trmica con una temperatura operativa de -25 a 85 C. La baja capacitancia y resistencia dinmica permiten una conmutacin rpida y eficiente ideal para circuitos de seleccin de banda en equipos de comunicacin y medicin.
15-06-2026 02:40:08 SSN1 U-20-Gn 200680