Syscom MFE130 Transistor MOSFET / Doble Puerta / Canal N / 105 MHz / Encapsulado TO-18

Este transistor MOSFET de doble puerta con canal N est diseado para aplicaciones que demandan alta eficiencia y control preciso del flujo elctrico. Su arquitectura de doble puerta permite una modulacin superior de la seal resultando ideal para circuitos de radiofrecuencia y comunicaciones. Opera eficientemente en bandas de frecuencia de hasta 105 MHz garantizando estabilidad trmica y elctrica en condiciones exigentes. El encapsulado TO-18 ofrece una construccin compacta y mecnicamente resistente facilitando su integracin en equipos profesionales de telecomunicaciones instrumentacin y sistemas de RF.

Caractersticas Principales

• Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia
• Canal N para control preciso del flujo elctrico
• Frecuencia mxima de operacin de 105 MHz
• Encapsulado TO-18 compacto y resistente
• Alto aislamiento con tecnologa avanzada de interfaz
• Diseo optimizado para aplicaciones de alta frecuencia

Especificaciones Tcnicas