Syscom MMBR951 Transistor NPN / SMD SOT-23 / 100 MHz / 30V Vceo / 100mA Ic / -55°C a +150°C

Transistor NPN de montaje superficial diseado para aplicaciones que demandan bajo ruido y alta fidelidad en etapas de preamplificacin. Su encapsulado SOT-23 ofrece una solucin compacta para circuitos integrados modernos donde el espacio es crtico. La combinacin de alta ganancia de corriente baja distorsin y frecuencia de transicin de 100 MHz lo hace verstil para seales de audio RF y comunicaciones. Opera de manera confiable en un amplio rango trmico que abarca desde ambientes extremadamente fros hasta condiciones de alta temperatura industrial.

Caractersticas Principales

• Transistor NPN de bajo ruido para preamplificacin de alta fidelidad
• Encapsulado SMD SOT-23 compacto para montaje superficial automatizado
• Baja distorsin optimizada para etapas de audio y comunicaciones
• Alta ganancia de corriente (hFE) de 300 a 800 para amplificacin eficiente
• Frecuencia de transicin de 100 MHz para aplicaciones de RF
• Rango de temperatura de operacin: -55C a 150C

Especificaciones Elctricas

Especificaciones Fsicas y Trmicas