Syscom MRF475 Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB

Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio diseado para aplicaciones de amplificacin en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energtica del 40% ideal para equipos de comunicacin y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuracin emisor comn facilita la integracin en diseos de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipacin trmica gracias a su resistencia trmica unin-carcasa de 12.5C/W.

Caractersticas Principales

• Transistor NPN de potencia RF en silicio
• Frecuencia operativa hasta 30 MHz
• Tensin colector-emisor: 13.6 Vcc nominal
• Corriente mxima de colector: 4.0 A
• Potencia de salida: 10 W
• Paquete TO-220AB con configuracin emisor comn

Especificaciones Tcnicas