Syscom MRF644 Transistor NPN de Potencia RF / 470 MHz / 6.2 dB Ganancia / 25 W / 16 VCEO / 103 W Disipacion

Transistor NPN de Potencia RF para Aplicaciones de 470 MHz

Este transistor NPN de potencia RF est diseado para operar eficientemente en la banda de 470 MHz ofreciendo una ganancia de 6.2 dB y una potencia de salida de 25 watt. Fabricado con tecnologa de silicio avanzada proporciona impedancia controlada tanto en entrada como en salida facilitando el diseo de etapas amplificadoras sin necesidad de redes de adaptacin complejas. Su arquitectura trmica optimizada permite manejar elevadas densidades de potencia en aplicaciones de transmisin de RF broadcast y telecomunicaciones profesionales.

El dispositivo incorpora especificaciones elctricas robustas que garantizan operacin estable bajo condiciones de carga variables con voltajes de ruptura conservadores que proporcionan margen de seguridad en diseos de alta fiabilidad para infraestructura crtica de comunicaciones.

Caractersticas Principales

• Tecnologa de silicio avanzada para mxima eficiencia
• Impedancia de entrada y salida controlada
• Alta ganancia de potencia: 6.2 dB a 470 MHz
• Disipacin trmica de 103 W con derating de 0.59 W/C
• Resistencia trmica juntura-carcaza de 1.7 C/W
• Rango de temperatura de almacenamiento: -65C a 150C

Especificaciones Tcnicas