Descripción
2SC-3320 SYSCOM PARTS Transistor de Potencia NPN / 500 V / 15 A / 80 W / TO-3PM
Transistor de Potencia NPN en Silicio
Este transistor NPN de silicio est diseado para aplicaciones de alta potencia que demandan control eficiente de corriente y voltaje. Su arquitectura permite manejar hasta 15 A de corriente de colector con una disipacin trmica de 80 W manteniendo una baja cada de voltaje en saturacin de 1.0 V que minimiza las prdidas energticas. El encapsulado TO-3PM garantiza una instalacin robusta y una disipacin de calor ptima en entornos industriales. Es ideal para sistemas de conmutacin inversores de alta frecuencia generadores ultrasnicos y etapas de amplificacin de potencia.
Caractersticas Principales
- Transistor NPN de silicio para alta potencia
- Voltaje colector-base (VCBO) hasta 500 V
- Corriente mxima de colector (IC) de 15 A
- Disipacin de potencia (PC) hasta 80 W
- Baja cada de voltaje en saturacin VCE(sat): 1.0 V
- Encapsulado TO-3PM para alta confiabilidad trmica
Aplicaciones Tpicas
- Reguladores de switcheo (SMPS)
- Inversores de alta frecuencia
- Generadores ultrasnicos
- Amplificadores de potencia de uso general
Especificaciones Tcnicas
Voltaje Colector-Base
VCBO = 500 V
Voltaje Colector-Emisor
VCEO = 400 V
Voltaje Emisor-Base
VEBO = 7 V
Corriente de Colector
IC = 15 A
Disipacin de Potencia
PC = 80 W
Tensin de Ruptura V(BR)CEO
400 V
Tensin de Ruptura V(BR)CBO
500 V
VCE(sat) Saturacin
1.0 V (IC=6A IB=1.2A)
VBE(sat) Saturacin
1.5 V (IC=6A IB=1.2A)
Corriente de Fuga ICBO
1.0 mA (VCB=500V IE=0)
Encapsulado
TO-3PM
16-07-2026 02:40:06 SSN1 U-28-Gn 200407
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