SYSCOM PARTS RD70HUF2 Transistor de Potencia MOSFET / 70W / VHF 135-175 MHz / UHF 450-530 MHz / 40V / 20A
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Descripción
RD70HUF2 SYSCOM PARTS Transistor de Potencia MOSFET / 70W / VHF 135-175 MHz / UHF 450-530 MHz / 40V / 20A
Este transistor de potencia MOSFET est diseado para aplicaciones de amplificacin RF en bandas VHF y UHF ofreciendo una solucin robusta para sistemas de comunicacin de alta potencia. Su arquitectura optimizada permite alcanzar una eficiencia del drenaje de hasta 74% en la banda de 175 MHz reduciendo significativamente las prdidas trmicas y mejorando la confiabilidad del sistema. La integracin de un diodo de proteccin para la puerta simplifica el diseo del circuito driver y protege contra sobretensiones transitorias. Con capacidad de disipacin de 300W y resistencia trmica de 0.5C/W este dispositivo soporta condiciones de operacin exigentes en amplificadores de transmisin profesionales.
Caractersticas Principales
- Potencia de salida de hasta 84W tpica
- Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
- Diodo integrado de proteccin para la puerta
- Diseado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
- Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
Especificaciones Elctricas
Tensin Drenaje-Fuente
40V (mx.)
Tensin Puerta-Fuente
-5V / 10V
Disipacin del Canal
300W
Corriente de Drenaje
20A (mx.)
Temperatura de Canal
175C
Resistencia Trmica
0.5C/W
Desempeo RF
Banda VHF: 135-175 MHz
Potencia de Salida
84W tpico
Eficiencia
74% tpico
Potencia de Entrada
4.0W
Banda UHF: 450-530 MHz
Potencia de Salida
75W tpico
Eficiencia
64% tpico
Potencia de Entrada
5.5W
Informacin de Empaque
Formato
Cinta y Carrete
Cantidad por Carrete
500 unidades
16-07-2026 02:42:42 SSN8 U-28-Gn 222193
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