Syscom PD55035S MOSFET de Potencia / 7A / 40V / Canal N / D-PAK

Este MOSFET de potencia de canal N est diseado para aplicaciones exigentes de radiofrecuencia y conmutacin de alta velocidad. Su arquitectura permite manejar corrientes de hasta 7 A con una capacidad de bloqueo de 40 V integrando baja resistencia en estado de conduccin y umbral de activacin reducido. El encapsulado D-PAK optimiza la disipacin trmica en espacios reducidos resultando ideal para fuentes de alimentacin conmutadas amplificadores de RF y circuitos de potencia compactos donde la eficiencia energtica y la respuesta dinmica son crticas.

Caractersticas Destacadas

• Transistor MOSFET canal N 40 V 7 A
• Optimizado para RF y conmutacin de alta velocidad
• Encapsulado D-PAK para disipacin trmica eficiente
• Baja resistencia RDS(on) en estado de conduccin
• Alta densidad de corriente con bajo umbral de voltaje
• Aplicaciones: fuentes de alimentacin circuitos de potencia RF

Especificaciones Tcnicas