TPL COMMUNICATIONS B2-160 Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM
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Descripción
B2-160 TPL COMMUNICATIONS Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM
Transistor NPN de silicio diseado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF con operacin optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relacin de ganancia de 6.0 dB ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energtica y caractersticas trmicas controladas permiten operacin sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga estn especificadas para facilitar el diseo de redes de adaptacin en circuitos de RF profesionales.
Caractersticas Generales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
- Potencia de salida mxima de 100 W
- Voltaje de colector de 12.5 Vcc
- Diseo robusto para alta eficiencia energtica
- Aplicaciones: sistemas de comunicacin VHF transmisores FM amplificadores de potencia RF
Especificaciones RF
- Frecuencia: 175 MHz
- Potencia de salida: 100 W
- Relacin de ganancia: 6.0 dB
- Impedancia entrada: 1.5 - j0.9
- Impedancia carga: 0.5 - j1.0
Especificaciones Elctricas
- Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
- Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
- Corriente de colector (IC): 20 A
- Disipacin de potencia: 270 W
Especificaciones Trmicas
- Resistencia trmica (junto-case RJC): 0.65 C/W
- Temperatura de almacenamiento: -65 a 200 C
16-07-2026 03:43:21 SSN10 U-28-Gn 226702
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