TPL COMMUNICATIONS B2-189 Transistor Dual MOSFET / 175 MHz / 50 W / 14.5 dB Ganancia / 12.5 V / 200°C
Descripción
B2-189 TPL COMMUNICATIONS Transistor Dual MOSFET / 175 MHz / 50 W / 14.5 dB Ganancia / 12.5 V / 200°C
Este transistor dual MOSFET de canal N en modo de enriquecimiento lateral est diseado para aplicaciones de RF de banda ancha hasta 175 MHz. Ofrece alta ganancia de potencia de 14.5 dB con una alimentacin de 12.5 V logrando una eficiencia del 55% con disipacin trmica de 165 W. Su resistencia trmica de 0.75C/W permite operacin confiable hasta 200C de temperatura de unin. Incluye proteccin contra sobrecalentamiento y soporta condiciones de desajuste de antena VSWR 20:1 ideal para amplificadores de potencia en comunicaciones profesionales.
Caractersticas Principales
- Transistor dual MOSFET de canal N modo de enriquecimiento lateral
- Diseo optimizado para aplicaciones de banda ancha hasta 175 MHz
- Alta ganancia y estabilidad trmica en operacin continua
- Paquete plstico con capacidad de operacin hasta 200C
- Terminales libres de plomo cumplen con normativa RoHS
- Proteccin integrada contra sobrecalentamiento
Especificaciones Tcnicas
Especificaciones RF
Frecuencia mxima: 175 MHz
Potencia de salida: 50 W
Tensin de alimentacin: 12.5 V
Ganancia de potencia: 14.5 dB
Eficiencia: 55%
Impedancia de entrada: 4.1 j0.5 135 MHz
Impedancia de salida: 1.0 j0.6 135 MHz
Especificaciones Elctricas
Tensin drenaje-fuente: -0.5 a 40 VDC
Tensin compuerta-fuente: 20 VDC
Corriente de drenaje: 12 A DC
Disipacin total: 165 W 25C
Especificaciones Trmicas y Mecnicas
Resistencia trmica: 0.75C/W
Temperatura mxima de unin: 200C
VSWR soportado: 20:1
Proteccin: Sobrecalentamiento integrada
Terminales: Libres de plomo (RoHS)
Encapsulado: Plstico de alta temperatura
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