TPL COMMUNICATIONS B2-189 Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.
Descripción
Este transistor dual MOSFET de canal N en modo de enriquecimiento lateral está diseñado para aplicaciones de RF de banda ancha hasta 175 MHz. Ofrece alta ganancia de potencia de 14.5 dB con una alimentación de 12.5 V, logrando una eficiencia del 55% con disipación térmica de 165 W. Su resistencia térmica de 0.75°C/W permite operación confiable hasta 200°C de temperatura de unión. Incluye protección contra sobrecalentamiento y soporta condiciones de desajuste de antena VSWR 20:1, ideal para amplificadores de potencia en comunicaciones profesionales.
Características Principales
- Transistor dual MOSFET de canal N, modo de enriquecimiento lateral
- Diseño optimizado para aplicaciones de banda ancha hasta 175 MHz
- Alta ganancia y estabilidad térmica en operación continua
- Paquete plástico con capacidad de operación hasta 200°C
- Terminales libres de plomo, cumplen con normativa RoHS
- Protección integrada contra sobrecalentamiento
Especificaciones Técnicas
Especificaciones RF
Frecuencia máxima: 175 MHz
Potencia de salida: 50 W
Tensión de alimentación: 12.5 V
Ganancia de potencia: 14.5 dB
Eficiencia: 55%
Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz
Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz
Especificaciones Eléctricas
Tensión drenaje-fuente: -0.5 a +40 VDC
Tensión compuerta-fuente: ±20 VDC
Corriente de drenaje: 12 A DC
Disipación total: 165 W @ 25°C
Especificaciones Térmicas y Mecánicas
Resistencia térmica: 0.75°C/W
Temperatura máxima de unión: 200°C
VSWR soportado: 20:1
Protección: Sobrecalentamiento integrada
Terminales: Libres de plomo (RoHS)
Encapsulado: Plástico de alta temperatura