TPL COMMUNICATIONS B2-189 Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.
Descripción
B2-189 TPL COMMUNICATIONS Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.
Caractersticas Principales
- Transistor dual Q1 (MRF-1550NFT1)
- Para amplificador TPL PA31AC
- MOSFET de canal N modo de enriquecimiento lateral
- Diseado para aplicaciones de banda ancha hasta 175 MHz
- Alta ganancia y estabilidad trmica
- Paquete plstico capaz de 200C
- Terminales libres de plomo cumplen con RoHS
Especificaciones RF
- Frecuencia mxima: 175 MHz
- Potencia de salida: 50 W
- Tensin de alimentacin: 12.5 V
- Ganancia de potencia: 14.5 dB
- Eficiencia: 55%
- Impedancia de entrada: 4.1 j0.5 135 MHz
- Impedancia de salida: 1.0 j0.6 135 MHz
Especificaciones Elctricas
- Tensin drenaje-fuente: -0.5 a 40 Vdc
- Tensin compuerta-fuente: 20 Vdc
- Corriente de drenaje: 12 Adc
- Disipacin total: 165 W 25C
- Resistencia trmica: 0.75C/W
- Temperatura de unin: 200C
- Temperatura de almacenamiento: -65 a 150C
Caractersticas de RF
- Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
- Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
- Capacitancia de transferencia (Crss): 35 pF
- Impedancia de entrada: 4.1 j0.5
- Impedancia de salida: 1.0 j0.6
Caractersticas de Polarizacin
- Voltaje umbral (VGS(th)): 1 a 3 Vdc
- Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.5
- Voltaje drenaje-fuente (VDS(on)): 1 Vdc
- Corriente de polarizacin (IDQ): 500 mA
- Tensin de polarizacin: 12.5 Vdc
Caractersticas Trmicas
- Resistencia trmica (RJC): 0.75C/W
- Disipacin total: 165 W 25C
- Derating: 0.50 W/C sobre 25C
- Temperatura de unin: 200C
- Temperatura de almacenamiento: -65 a 150C
Caractersticas de Aplicacin
- Impedancia de entrada: 10
- Frecuencia: 175 MHz
- Red de coincidencia: Paralelo resistor y capacitor en la compuerta
- Temperatura de operacin: 25C
- Corriente de polarizacin: 500 mA
Aplicaciones
- Amplificadores de potencia RF
- Equipos mviles de 12.5 V
- Sistemas de comunicacin comercial e industrial
- Sistemas de FM mviles
- Diseos de banda ancha (135-175 MHz)
- Sistemas de comunicacin de alta confiabilidad
Caractersticas de Diseo
- Paquete de montaje superficial
- Diseado para montaje automtico
- Red de coincidencia de entrada/salida
- Capacitancia de entrada incluida
- Redes de polarizacin simples
- Compatibilidad con tcnicas de montaje SMT
Informacin de Manejo
- Sensibilidad a descargas electrostticas
- Requiere precauciones en manejo y empaque
- Nivel de sensibilidad hmedad: Clase 3
- Temperatura mxima de pico de reflujo: 260C
- Compatibilidad con proceso de reflujo
- Requiere disipacin trmica adecuada
Caractersticas de Fiabilidad
- Vida til calculada (MTTF) en horas x A
- Correlacin de pruebas a alta temperatura 10%
- Factor de vida til vs temperatura de unin
- Diseado para operacin a 200C
- Factor de MTTF disminuye con el cuadrado de la corriente
Parmetros S (12.5 Vdc 500 mA)
- 50 MHz: S11 = 0.93 S21 = 4.817 S12 = 0.009 S22 = 0.86
- 100 MHz: S11 = 0.94 S21 = 2.212 S12 = 0.009 S22 = 0.88
- 150 MHz: S11 = 0.95 S21 = 1.349 S12 = 0.008 S22 = 0.90
- 200 MHz: S11 = 0.95 S21 = 0.892 S12 = 0.006 S22 = 0.92
- 250 MHz: S11 = 0.96 S21 = 0.648 S12 = 0.005 S22 = 0.93
Parmetros S (continuacin)
- 300 MHz: S11 = 0.97 S21 = 0.481 S12 = 0.004 S22 = 0.95
- 350 MHz: S11 = 0.97 S21 = 0.370 S12 = 0.005 S22 = 0.95
- 400 MHz: S11 = 0.98 S21 = 0.304 S12 = 0.001 S22 = 0.97
- 450 MHz: S11 = 0.98 S21 = 0.245 S12 = 0.005 S22 = 0.97
- 500 MHz: S11 = 0.98 S21 = 0.209 S12 = 0.003 S22 = 0.97
Caractersticas de Diseo de Amplificador
- Redes de coincidencia similares a transistores bipolares
- Resistencia trmica mejorada para disipacin
- Diseo para aplicaciones de VHF y UHF
- Red de polarizacin con divisor de tensin
- Compensacin de capacitancias parsitas
- Red de proteccin de compuerta
Caractersticas de Proteccin
- Soporta VSWR de 20:1
- Proteccin contra sobretemperatura
- Compensacin de corriente de fuga
- Red de proteccin externa recomendada
- Diseo robusto para cargas mal acopladas
29-06-2026 05:43:20 SSN10 U-20-Gn 226684
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