TPL COMMUNICATIONS B2114 Transistor de Potencia MOSFET / 70 W / 470 MHz / 11.5 dB / 12.5 VDC / TO-272-8

Este transistor de potencia MOSFET de canal N lateral est diseado para aplicaciones de RF en equipos de comunicacin mvil FM amplificadores de seal RF y sistemas industriales y comerciales. Ofrece una potencia de salida de 70 W a 470 MHz con una ganancia de 11.5 dB operando eficientemente con una tensin de alimentacin de 12.5 VDC. Su arquitectura garantiza estabilidad trmica excelente y tolerancia excepcional ante desajustes de impedancia soportando relaciones VSWR de hasta 20:1 sin degradacin.

Caractersticas Principales

• Tecnologa MOSFET de canal N lateral
• Potencia de salida: 70 W a 470 MHz
• Eficiencia: 60% con VDD de 12.5 VDC
• Ganancia: 11.5 dB en banda 135-520 MHz
• Capacidad VSWR: 20:1 para alta robustez
• Paquete plstico TO-272-8 resistente a 200C
• Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
• Estabilidad trmica excelente
• Parmetros de impedancia equivalente en serie disponibles
• Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm / 1.73 pulgadas)

Especificaciones Tcnicas

Aplicaciones

• Equipos de comunicacin mvil FM
• Amplificadores de seal RF
• Equipos industriales y comerciales
• Sistemas de radiofrecuencia

Caractersticas de Diseo

• Estabilidad trmica excelente
• Parmetros de impedancia equivalente en serie disponibles
• Informacin del amplificador de demostracin disponible