TPL COMMUNICATIONS MRF-1550-FNT1 Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC.
Descripción
MRF-1550-FNT1 TPL COMMUNICATIONS Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC.
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Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC
<-- Seccin de caractersticas principales -->Caractersticas Principales
- Transistor RF de potencia N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
- Frecuencia mxima: 175 MHz
- Potencia de salida: 50 W
- Voltaje de alimentacin: 12.5 V
- Ganancia: 14.5 dB
- Eficiencia: 55%
- Tensin de umbral (VGS(th)): 1-3 V
- Resistencia de on-state (RDS(on)): 0.5
- Paquete plstico con capacidad hasta 200C
Caractersticas Avanzadas
- Diseado para aplicaciones comerciales e industriales
- Alta estabilidad trmica
- Capaz de manejar VSWR de 20:1
- Caracterizado con parmetros de impedancia de seal grande
- Amplia banda: 135-175 MHz
- Paquete TO-272-6 plstico
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
- Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
- Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF
Ratings Mximos
- Voltaje drenador-fuente (VDSS): -0.5 a 40 Vdc
- Voltaje compuerta-fuente (VGS): 20 Vdc
- Corriente de drenador (ID): 12 Adc
- Disipacin total del dispositivo (PD): 165 W TC = 25C
- Derating: 0.50 W/C por encima de 25C
- Rango de temperatura de almacenamiento: -65 a 150 C
- Temperatura de unin: 200 C
Caractersticas Trmicas
- Resistencia trmica (RJC): 0.75 C/W
- Clasificacin de sensibilidad a la humedad: Nivel 3
- Temperatura mxima de pico: 260 C
- Temperatura de unin: 200 C
Caractersticas Elctricas
- Corriente de fuga drenador-fuente (IDSS): 1 Adc
- Corriente de fuga compuerta-fuente (IGSS): 0.5 Adc
- Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
- Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
- Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF
RF Caractersticas
- Ganancia de potencia (Gps): 14.5 dB
- Eficiencia: 55%
- Impedancia de entrada: 4.1 j0.5 135 MHz
- Impedancia de salida: 1.0 j0.6 135 MHz
- Frecuencia de prueba: 175 MHz
Diseo y Aplicaciones
- Diseado para aplicaciones en banda ancha (135-175 MHz)
- Adecuado para equipos mviles de FM a 12.5 V
- Requiere disipacin trmica adecuada en el diseo
- Tecnologa Lateral RF Power MOSFET con alta ganancia
- Proteccin contra voltaje transitorio mediante circuito externo
- Circuito de polarizacin de compuerta mediante divisor resistivo
- Capaz de operar con cargas desajustadas
Consideraciones de Manejo
- Requiere precauciones contra descarga electrosttica
- No dejar la compuerta abierta o flotante
- Recomendado para montaje superficial automtico
- Mxima corriente de polarizacin: 500 mA
- Requiere circuito de proteccin externo para la compuerta
- Uso de resistencia para mantener baja impedancia compuerta-fuente
Especificaciones de Prueba
Las pruebas se realizaron con las siguientes condiciones:
- Voltaje de alimentacin (VDD): 12.5 Vdc
- Corriente de polarizacin (IDQ): 500 mA
- Potencia de salida (Pout): 50 W
- Frecuencia de prueba: 175 MHz
Informacin de Fabricacin
- Paquete: TO-272-6 PLASTIC
- Estilo de paquete: CASE 1264A-03 STYLE 1
- Empaque: Cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
- Conformidad: RoHS sin plomo (sufijo N)
Parmetros S Comunes
A 12.5 Vdc IDQ = 500 mA:
- S11: 0.95 -178 175 MHz
- S21: 1.349 61 175 MHz
- S12: 0.008 -8 175 MHz
- S22: 0.90 -174 175 MHz
06-07-2026 11:43:02 SSN10 U-20-Gn 226683
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