MITSUBISHI RD60-HUF1-101 TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2

Este transistor MOSFET de potencia está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en entornos industriales y de telecomunicaciones. Con una capacidad de operación a 850V y 110A de corriente continua, ofrece un rendimiento excepcional en sistemas que demandan control preciso de energía. Su encapsulado TO-247 garantiza una disipación térmica superior, permitiendo una operación sostenida incluso bajo cargas elevadas de 150W. La tecnología de semiconductores avanzada de Mitsubishi asegura confiabilidad y durabilidad en aplicaciones críticas de conversión de energía.

Características Principales

• Transistor FET de alta potencia para conmutación eficiente
• Voltaje máximo de operación de 850V
• Corriente continua de 110A
• Disipación de potencia de 150W
• Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
• Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia

Especificaciones Técnicas