Syscom 2SC-3451 Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN 500 Vc-b 15 A. 100 Watt TO-3PA .
Descripción
Transistor de potencia NPN en silicio diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y media potencia. Soporta tensiones de hasta 500 V entre colector y base con corrientes de pico de 15 A, integrando tecnología de conmutación rápida que minimiza las pérdidas por switching. Su encapsulado TO-3PB garantiza disipación térmica eficiente y operación estable en entornos industriales exigentes. Especialmente indicado para fuentes conmutadas, inversores y equipos de ultrasonido donde la velocidad de respuesta y la confiabilidad térmica son críticas.
Características Principales
- Conmutación ultrarrápida: tiempo de encendido 0.5 μs, almacenamiento 1.5 μs, caída 0.15 μs
- Encapsulado TO-3PB para alta confiabilidad mecánica y térmica
- Resistencia térmica unión-carcasa de 1.56 °C/W
- Temperatura de unión máxima de 150 °C
- Voltaje de saturación colector-emisor de 1.0 V a 6 A
- Aplicaciones: reguladores SMPS, generadores ultrasónicos, inversores
Especificaciones Técnicas
Voltajes Máximos
VCBO: 500 V
VCEO: 400 V
VEBO: 7 V
VCEO: 400 V
VEBO: 7 V
Corrientes Máximas
IC: 15 A
IB: 5 A
IB: 5 A
Potencia y Disipación
PC: 80 W (TC = 25 °C)
Rth(j-c): 1.56 °C/W
Rth(j-c): 1.56 °C/W
Voltajes de Saturación
VCE(sat): 1.0 V (IC = 6 A, IB = 1.2 A)
VBE(sat): 1.5 V (IC = 6 A, IB = 1.2 A)
VBE(sat): 1.5 V (IC = 6 A, IB = 1.2 A)
Ganancia de Corriente
hFE: 10 mín. (IC = 6 A, VCE = 5 V)
Tiempos de Conmutación
Ton: 0.5 μs
Ts: 1.5 μs
Tf: 0.15 μs
Ts: 1.5 μs
Tf: 0.15 μs
Temperaturas
Tj máx.: 150 °C
Tstg: -65 °C a 150 °C
Tstg: -65 °C a 150 °C
Encapsulado
TO-3PB
Aplicaciones Típicas
Reguladores de conmutación (SMPS)
Generadores ultrasónicos
Inversores DC-AC
Detalles
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