Syscom MMBR951 Transistor NPN SMD SOT-23 LOW NOISE.
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Descripción
MMBR951 Syscom Transistor NPN SMD SOT-23 LOW NOISE.
Caractersticas Generales
- Transistor NPN de montaje superficial
- Encapsulado SOT-23
- Baja distorsin y bajo ruido
- Aplicaciones en etapas de preamplificacin
- Frecuencia de transicin: 100 MHz
- Ganancia de corriente (hFE): 300 a 800
- Tensin colector-emisor (VCEO): 30V
- Corriente colector (IC): 100mA
- Temperatura de operacin: -55C a 150C
Especificaciones Elctricas
- Tensin Colector-Emisor (VCEO): 30V
- Tensin Base-Emisor (VBEO): 5V
- Corriente Colector (IC): 100mA
- Corriente Base (IB): 50mA
- Potencia Disipacin (PD): 300mW
- Frecuencia de Transicin (fT): 100MHz
- Ganancia de Corriente (hFE): 300-800
Especificaciones Fsicas
- Encapsulado: SOT-23
- Material de Terminales: Estao
- Resistencia Trmica (Junction-Ambient): 417C/W
- Temperatura de Almacenamiento: -55C a 150C
- Temperatura de Operacin: -55C a 150C
Aplicaciones
- Preamplificadores de audio
- Amplificadores de bajo ruido
- Circuitos de conmutacin
- Etapa de entrada en amplificadores operacionales
Informacin Adicional
- Equivalente: 2N3904 BC547
- Marca: SYSCOM
- Modelo: MMBR951
- Tipo: Transistor NPN
- Montaje: Superficial (SMD)
- Encapsulado: SOT-23
- Caracterstica: Bajo ruido
19-06-2026 05:44:38 SSN14 U-20-Gn 233489
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