Syscom MRF475 Transistor NPN de Potencia RF Silicio de 30 MHz 13.6 Vcc 4.0 Amp. 10 Watt TO-220AB.

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Código producto - SKU MRF475
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Descripción

MRF475 Syscom Transistor NPN de Potencia RF Silicio de 30 MHz 13.6 Vcc 4.0 Amp. 10 Watt TO-220AB.

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Caractersticas Principales

  • Transistor NPN de potencia RF de silicio
  • Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
  • Tensin de colector-emisor de 13.6 VCC
  • Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
  • Potencia de salida mxima de 10 Watt
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Mximos Ratings
  • IC: 4.0 A
  • VCE: 18 V
  • VCB: 48 V
  • PD: 10 W TC = 25 C
  • TSTG: -65 C to 150 C
  • TJ: -65 C to 150 C
  • J-C: 12.5 C/W
<-- Seccin de caractersticas elctricas -->
Caractersticas Elctricas
  • BVCEO: 18 V IC = 20 mA
  • BVCES: 48 V IC = 50 mA
  • BVEBO: 4.0 V IE = 5.0 mA
  • ICBO: 1.0 mA VCB = 25 V
  • hFE: 30-60 VCE = 5.0 V IC = 500 mA
  • Cob: 125-145 pF VCB = 13.6 V f = 1.0 MHz
  • GP: 10-12 dB
  • : 40% Pout = 12 W (PEP) VCC = 13.6 V f = 2.0 MHz ICQ = 300 mA
  • IMD: -30 dB
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Configuracin Fsica
  • Paquete: TO-220AB (Common Emitter)
  • Conexiones: 1 = BASE 2 = COLLECTOR 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR
<-- Separador -->

04-07-2026 02:40:13 SSN1 U-20-Gn 201640

Detalles

SKU
MRF475
Categorías
rg59 tipo cap
Peso
0.01 kg
Fabricante
syscom

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