Descripción
Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C/W.
Características Principales
- Transistor NPN de potencia RF en silicio
- Frecuencia operativa hasta 30 MHz
- Tensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal
- Corriente máxima de colector: 4.0 A
- Potencia de salida: 10 W
- Paquete TO-220AB con configuración emisor común
Especificaciones Técnicas
Máximos Ratings Absolutos
| Corriente de colector (IC) | 4.0 A |
| Tensión colector-emisor (VCE) | 18 V |
| Tensión colector-base (VCB) | 48 V |
| Disipación de potencia (PD) | 10 W @ TC = 25°C |
| Temperatura de almacenamiento (TSTG) | -65°C a +150°C |
| Temperatura de unión (TJ) | -65°C a +150°C |
Características Térmicas
| Resistencia térmica unión-carcasa (θJ-C) | 12.5°C/W |
Características Eléctricas
| BVCEO @ IC = 20 mA | 18 V |
| BVCES @ IC = 50 mA | 48 V |
| BVEBO @ IE = 5.0 mA | 4.0 V |
| ICBO @ VCB = 25 V | 1.0 mA |
| hFE @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA | 30-60 |
| COB @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz | 125-145 pF |
| Ganancia de potencia (GP) | 10-12 dB |
| Eficiencia (η) @ POUT = 12 W PEP, VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA | 40% |
| Distorsión de intermodulación (IMD) | -30 dB |
Configuración Física
| Paquete | TO-220AB (Common Emitter) |
| Pin 1 | Base |
| Pin 2 | Colector |
| Pin 3 | Emisor |
| Tab (aleta de disipación) | Colector |
