Descripción
Transistor bipolar de radiofrecuencia diseñado para aplicaciones profesionales que demandan operación confiable en el espectro de alta frecuencia. Fabricado con silicio semiconductor de alta pureza que garantiza respuesta eléctrica consistente y bajo nivel de ruido en circuitos amplificadores y osciladores. Su configuración de emisor común facilita la integración en etapas de potencia RF y sistemas de comunicación. El encapsulado TO-52 hermético proporciona protección superior contra humedad y contaminantes, extendiendo la vida útil en condiciones industriales exigentes.
Características principales
- Transistor bipolar optimizado para aplicaciones de radiofrecuencia
- Frecuencia de operación máxima: 100 MHz
- Material semiconductor: silicio de alta pureza
- Configuración de emisor común para versatilidad de circuito
- Encapsulado TO-52 con sellado hermético
- Construcción robusta para entornos profesionales e industriales
