SYSCOM PARTS RD70HUF2 Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz 70 Watt.

Este transistor de potencia MOSFET está diseñado para aplicaciones de amplificación RF en bandas VHF y UHF, ofreciendo una solución robusta para sistemas de comunicación de alta potencia. Su arquitectura optimizada permite alcanzar una eficiencia del drenaje de hasta 74% en la banda de 175 MHz, reduciendo significativamente las pérdidas térmicas y mejorando la confiabilidad del sistema. La integración de un diodo de protección para la puerta simplifica el diseño del circuito driver y protege contra sobretensiones transitorias. Con capacidad de disipación de 300W y resistencia térmica de 0.5°C/W, este dispositivo soporta condiciones de operación exigentes en amplificadores de transmisión profesionales.

Características Principales

• Potencia de salida de hasta 84W típica
• Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
• Diodo integrado de protección para la puerta
• Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
• Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete

Especificaciones Eléctricas

Desempeño RF

Banda VHF: 135-175 MHz

Banda UHF: 450-530 MHz

Información de Empaque