Syscom MRF392 Transistor de Silicio NPN 30-500 MHz 28 Vcc 10 dB 125 Watt 744A-01.
Descripción
MRF392 Syscom Transistor de Silicio NPN 30-500 MHz 28 Vcc 10 dB 125 Watt 744A-01.
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Caractersticas Principales
- Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
- Rango de frecuencias: 30-500 MHz
- Tensin de colector-emisor hasta 28 Vcc
- Ganancia de 10 dB para amplificacin eficaz
- Potencia mxima de salida: 125 Watt
Mximos Permisibles
- VCEO: 30 Vdc
- VCBO: 60 Vdc
- VEBO: 4.0 Vdc
- IC: 16 Adc
- PD: 270 Watts (a TC = 25C)
- Derate: 1.54 W/C
- Tstg: -65 a 150 C
- TJ: 200 C
Caractersticas Trmicas
- RJC: 0.65 C/W
Caractersticas Elctricas
- hFE: 40-100 (a IC = 1.0 Adc)
- Cob: 75-95 pF
Caractersticas de Operacin
- Ganancia: 8-10 dB
- Eficiencia: 50-55%
- VSWR: 30:1 sin degradacin
- Impedancia: 20
Configuracin
- Dos transistores en un solo encapsulado
- Configuracin push-pull
- Emisores comunes
- Redes de adaptacin de impedancia integradas
- Metabolizacin de oro para alta confiabilidad
Frecuencias de Operacin
- Frecuencia de prueba: 400 MHz
- Rango de frecuencia: 30-500 MHz
- Reduccin de potencia: 10 W a 14 W
- Tensin de prueba: 28 Vdc
Aplicaciones
- Amplificadores de seal RF
- Sistemas de comunicacin de banda ancha
- Equipos de prueba y medicin RF
- Sistemas de radiodifusin
- Amplificadores lineales de alta potencia
Especificaciones de Prueba
- Prueba de potencia: 125 W a 400 MHz
- Prueba de eficiencia: 55% tpico
- Prueba de adaptacin: VSWR 30:1
- Prueba de impedancia: 20
Impedancia ptima
- 100 MHz: 0.72 j0.44
- 225 MHz: 0.72 j2.62
- 400 MHz: 3.88 j5.72
- 450 MHz: 3.84 j2.8
- 500 MHz: 1.26 j3.01
Dimensiones
- A: 22.60-23.11 mm
- B: 9.52-10.03 mm
- C: 6.65-7.16 mm
- D: 1.60-1.95 mm
- E: 2.94-3.40 mm
05-07-2026 11:40:12 SSN1 U-20-Gn 201703
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