Syscom MRF644 Transistor NPN de Potencia RF Silicio en 470 MHz 6.2 dB 25 Watt 316-01.

Caractersticas Principales

• Transistor NPN de potencia RF
• Frecuencia de operacin: 470 MHz
• Ganancia: 6.2 dB
• Potencia de salida: 25 Watt
• Tecnologa de silicio avanzada

Ratings Mximos

• Voltage Colector-Emisor (VCEO): 16 Vdc
• Voltage Colector-Base (VCBO): 36 Vdc
• Voltage Emisor-Base (VEBO): 4.0 Vdc
• Corriente Colector (IC): 4.0 Adc
• Disipacin total (TC = 25C): 103 Watts
• Derating: 0.59 W/C sobre 25C
• Rango temperatura almacenamiento: -65 a 150 C

Caractersticas Trmicas

• Resistencia trmica (Juntura a Carcaza): 1.7 C/W

Caractersticas Elctricas (TC = 25C)

Caractersticas OFF

• Voltage ruptura Colector-Emisor: 16 Vdc (IC = 20 mAdc IB = 0)
• Voltage ruptura Colector-Base: 36 Vdc (IC = 20 mAdc VBE = 0)
• Voltage ruptura Emisor-Base: 4.0 Vdc (IE = 5.0 mAdc IC = 0)
• Corriente fuga Colector: 5.0 mAdc (VCE = 15 Vdc VBE = 0)

Caractersticas ON

• DC Current Gain (hFE): 40-100 (IC = 4.0 Adc VCE = 5.0 Vdc)

Caractersticas Dinmicas

• Capacitancia de salida (Cob): 60-85 pF (VCB = 12.5 Vdc IE = 0 f = 1.0 MHz)

Pruebas Funcionales

• Amplificador comn emisor: Ganancia de potencia 6.2-7.0 dB
• Voltage de alimentacin: 12.5 Vdc
• Potencia de entrada: 5.0-6.0 Watts
• Eficiencia del colector: 55-60%
• Impedancia entrada: 1.2 j3.3 Ohms
• Impedancia salida: 1.9 j2.1 Ohms

Diagramas y Grficas

• Potencia de salida vs Potencia de entrada
• Potencia de salida vs Frecuencia
• Potencia de salida vs Voltaje de alimentacin
• Perfil de saturacin de potencia
• Impedancia entrada/salida equivalente en serie

Dimensiones del Paquete

Cdigo: CASE 316-01 STYLE 1

• Dimensiones: 24.38-25.14 mm (A) x 12.45-12.95 mm (B) x 5.97-7.62 mm (C)
• Conexiones: 1.Emisor 2.Colector 3.Emisor 4.Base

Aplicaciones

• Amplificadores de seal grande UHF a 12.5 Volt
• Equipos FM industriales y comerciales
• Operacin hasta 512 MHz
• Sistemas con requisitos de impedancia controlada