Syscom MRF433 Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07
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Descripción
MRF433 Syscom Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07
Transistor NPN de silicio diseado especficamente para aplicaciones de radiofrecuencia en el rango de alta frecuencia (HF). Opera eficientemente en el espectro de 2 a 30 MHz con una potencia de salida de 12.5 watts ideal para etapas de potencia en transmisores amplificadores de RF y equipos de comunicacin. Su encapsulado estndar 211-07 facilita la integracin en diseos existentes y nuevos desarrollos de equipos de telecomunicaciones.
Caractersticas principales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operacin: 2 a 30 MHz
- Potencia mxima de salida: 12.5 watts
- Voltaje colector-emisor: 12.5 Vcc
- Encapsulado estndar 211-07 para montaje simplificado
- Alta eficiencia en operacin de radiofrecuencia
Especificaciones tcnicas
Tipo
Transistor de silicio NPN
Rango de frecuencia
2 - 30 MHz
Voltaje colector-emisor
12.5 Vcc
Potencia de salida
12.5 W
Encapsulado
211-07
15-07-2026 21:40:11 SSN1 U-28-Gn 201426
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