SYSCOM PARTS CD4066BE Circuito Integrado Interruptor Cuadruple Bilateral DIP-14.
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Descripción
CD4066BE SYSCOM PARTS Circuito Integrado Interruptor Cuádruple Bilateral DIP-14.
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Caractersticas Principales
- Cuatro interruptores bilaterales integrados en un chip
- Formato DIP-14 para fcil montaje
- Alta eficiencia en conmutacin de seales
- Compatibilidad con variados voltajes de operacin
- Bajo consumo de energa en operacin
Caractersticas Elctricas
- Resistencia en estado on: 125- tpico para operacin a 15-V
- Rango de voltaje: 3V a 18V
- Temperatura de operacin: -55C a 125C
- Corriente de fuga: 10pA tpico
- Impedancia de entrada: 10 tpico
Aplicaciones
- Conmutacin y multiplexin de seales analgicas y digitales
- Transmisin de seales bidireccionales controladas por lgica digital
- Implementacin de lgica tipo transmisin
- Conversin analgico-digital y digital-analgico
- Control de frecuencia impedancia fase y ganancia de seales analgicas
Especificaciones
- Encapsulado: DIP-14
- Dimensiones: 19.30mm 6.35mm
- Resistencia on-state: 125- tpico
- Matched on-state resistance: 5
- Frecuencia de respuesta: 40MHz tpico
Condiciones Operativas
- Voltaje de suministro: 3V a 18V
- Temperatura operativa: -55C a 125C
- Corriente quiescente: 0.01-30A
- Distorsin: <0.5% tpico
- Crosstalk: -50dB tpico
Configuracin de Pines
- 14 pines: 4 interruptores bilaterales
- Alimentacin: VDD (pin 14) y VSS (pin 7)
- Control: 4 pines de control independientes
- Seales: 8 pines para seales I/O
<-- Seccin de caractersticas detalladas -->
Caractersticas Detalladas
- Baja distorsin en seales analgicas
- Alta relacin seal de salida/voltaje de apagado
- Bajo ruido y crosstalk entre canales
- Conmutacin bidireccional de seales
- Bajo consumo de energa
- Alta inmunidad al ruido
- Operacin estable en rango amplio de temperatura
Ventajas Tcnicas
- Baja resistencia en estado on
- Resistencia constante en todo el rango de seal
- Alta impedancia de entrada
- Bajo consumo de energa
- Compatibilidad con CMOS
- Diseo compacto para PCB
- Fcil integracin en circuitos existentes
<-- Seccin de informacin de prueba -->
Informacin de Prueba
- Prueba de corriente quiescente: 100% probado a 20-V
- Clasificaciones paramtricas: 5-V 10-V y 15-V
- Temperatura de prueba: -55C a 125C
- Prueba de distorsin: 0.4% tpico a 1kHz
Condiciones de Almacenamiento
- Temperatura de almacenamiento: -65C a 150C
- Temperatura mxima de unin: 175C (paquete cermico) 150C (paquete plstico)
- Resistencia trmica: 53.7C/W (PDIP) 89.5C/W (SOIC)
15-06-2026 09:45:48 SSN17 U-20-Gn 240378
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